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芯智造

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引领AI时代?HBM2E突破存储极限

SemiUnion消息,2020年7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。据悉,这是SK海力士继去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的又一成果。 SK海力士新闻稿指出,HBM2E是目前业界速度最快的DRAM解决方案,能以每个pin 3.6Gbps的处理...

华邦电进军车用、工业领域

华邦电开发新型Octal NAND Flash产品,可作为高容量NOR Flash低成本替代方案,解决车用与工业领域存储容量与成本矛盾,同时提升读取速度与耐用性。